HY3215W دیتاشیت

HY3215W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3215W
حجم فایل 55.151 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY3215W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3215W
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 349W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 135nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5925pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 194pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,40A
  • Package: TO-247A-3L
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه